[17a-K101-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[17a-K101-1] 極薄High-k/メタルゲートスタック形成におけるHfO₂上ALD-TiNの初期成長メカニズム

〇森田 行則¹、間部 謙三¹、太田 裕之¹、林 喜宏¹ (1.産総研 SFRC)

キーワード：

ALD、TiN、HfO2