2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17a-K101-1~13]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2025年3月17日(月) 9:00 〜 12:30
K101 (講義棟)
若林 整(東京科学大)
PRSonySemiconductor
9:00 〜 9:15

[17a-K101-1]極薄High-k/メタルゲートスタック形成におけるHfO2上ALD-TiNの初期成長メカニズム

〇森田 行則1、間部 謙三1、太田 裕之1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
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9:15 〜 9:30

[17a-K101-2]Gate-all-around FET用TiAlC/TiN電極の実効仕事関数へのF混入の影響

〇間部 謙三1、上嶋 和也1、太田 裕之1、森田 行則1、八木下 淳史1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研　SFRC)
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9:30 〜 9:45

[17a-K101-3]300mm先端ロジック半導体向けタングステン電極形成プロセスの検討

〇岡田 直也1、太田 裕之1、間部 謙三1、森田 行則1、入沢 寿史1、伊藤 文則1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
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9:45 〜 10:00

[17a-K101-4]SADP互換EB-Rプロセスによるゲートパターン作製

〇尹 成圓1、上田 哲也1、七里 元晴1、古川 順一1、松麿 和幸1、廣島 洋1 (1.産総研)
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10:00 〜 10:15

[17a-K101-5]ナノインプリントリソグラフィを用いた微細ローカル配線形成技術

〇鈴木 健太1、上田 哲也1、笠嶋 悠司1、深沢 正永1、廣島 洋1、林 喜宏1、石田 真幸2、舩吉 智美2、日浦 広実2、香川 正行2、長谷川 敬恭2、山本 磨人2 (1.産総研　SFRC、2.Canon)
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10:15 〜 10:30

[17a-K101-6]GAAFET製造におけるSTI酸化膜CMPプロセス技術の開発

〇笠嶋 悠司1、松川 貴1、八木下 淳史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
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10:45 〜 11:00

[17a-K101-7]UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去

〇(M1)小石 航平1、緒方 智成2、百瀬 健1、佐々木 満1 (1.熊大院自、2.熊大熊創)
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11:00 〜 11:15

[17a-K101-8]シリコンナノシートの移動度における面外音響（ZA）フォノンの影響

〇(P)掘井 耀1、植田 暁子1、林 喜宏1 (1.産総研)
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11:15 〜 11:30

[17a-K101-9]ナノシートFETプロセスに向けた極薄Si膜の分光エリプソメトリ評価

〇熊谷 直人1、入沢 寿史1、林 喜宏1 (1.産総研 SFRC)
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11:30 〜 11:45英語発表

[17a-K101-10]Component Prioritization Assessment in Gate-All-Around Nanosheet FETs using Design-Technology Co-Optimization (DTCO)

〇(D)Xiaoran Mei1, Yaoping Xiao1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1,2 (1.IIS, The Univ. of Tokyo, 2.d.lab, The Univ. of Tokyo)
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11:45 〜 12:00英語発表

[17a-K101-11]Design Technology Co-optimization (DTCO) for spacer Design in Gate-All-around Nanosheet FETs

〇(M2)Yaoping Xiao1, Xiaoran Mei1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.d.lab, Univ. of Tokyo)
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12:00 〜 12:15英語発表

[17a-K101-12]Comprehensive Study on the Silicon-Nanosheet Thickness Dependence On the Device Performance of Gate-All-Around NFETs

〇(M2)Yaoping Xiao1, Xiaoran Mei1, Takuya Saraya1, Toshiro Hiramoto1, Masaharu Kobayashi1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.d.lab, Univ. of Tokyo)
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12:15 〜 12:30

[17a-K101-13]短い滞在時間のRTNによる平均電流分布密度のモデル化

〇上嶋 和也1、間部 謙三1、林 喜宏1 (1.産総研　SFRC)
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