講演情報
[17a-K102-2]架橋ツイスト2層グラフェン上へのMoS2ナノシート成長
利根川 舜1、クドゥス アブドゥル2、〇毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO)
キーワード：
グラフェン、モアレ超格子、リモートエピタキシー
原子層材料の結晶成長において、グラフェン上でのファンデルワールスエピタキシーの特性を調査した。単層グラフェン(MG)および架橋ツイスト2層グラフェン(TBG)上にCVD法でMoS2を成長させた結果、MG上ではグラフェンの配向に一致した成長が見られた。一方、TBG上ではMoS2の配向が2方向に分かれ、それぞれのグラフェン層の配向と一致した。この結果は、下層グラフェンのポテンシャルが上層を透過し、結晶成長に影響を与えることを実験的に示し、ファンデルワールスエピタキシーの理解に貢献する。