[17a-K102-1~8] 17.3 層状物質

11:15 〜 11:30

[17a-K102-7] グラフェン超極薄ゲト構造への転写法による単層MoS₂の堆積

杉野 秀明¹、佐々木 文憲¹、田中 陽来¹、入沢 寿史²、松木 武雄³、尾崎 卓哉⁴、大堀 大介⁴、遠藤 和彦⁴、渡邊 一世⁵、〇吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.産総研、3.筑波大学、4.東北大流体研、5.情報通信研究機構)

キーワード：

二次元半導体、グラフェン、極短ゲート