[17a-K102-1~8] 17.3 層状物質

11:30 〜 11:45

[17a-K102-8] 硫黄ドープセレン化ビスマス結晶の作製と電子構造の評価

〇和泉 廣樹^1,2、竹蓋 颯馬¹、乾 広斗¹、横倉 聖也^1,2、島田 敏宏^1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：

層状物質、トポロジカル絶縁体、角度分解光電子分光

セレン化ビスマス（Bi₂Se₃）はトポロジカル絶縁体（TI）であるが、Se欠損によりフェルミ準位が伝導帯に来ると内部絶縁性が損なわれる。対策として超薄膜化があるものの、表面のみで導電性を示すTIの利点が失われる。そこで本研究では、バルク導電性を制御するために、結晶作製中にSeと同族のSをドープすることでSe欠損に対処することを試みた。結晶表面近傍の電子構造を角度分解光電子分光法によって観測した。