講演情報
[17a-K103-1]52 ℃の低温プロセスで形成したSiO2薄膜の電気特性評価
〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)
キーワード：
SiO2、フレキシブルエレクトロニクス、ポリシラザン
我々はこれまでに、アルゴン(Ar)と水蒸気混合ガスの低温プラズマジェットを生成し、パーヒドロポリシラザン(PHPS) 薄膜を、僅か52 ℃という低温でシリカ転化させることに成功している。加えて、このような低温かつ高速にシリカ転化できるメカニズムを解明している。本研究では、PHPSからシリカ転化したSiO2薄膜を用いたMOSキャパシタにおける、容量-電圧 (C-V) 特性及び、リーク電流密度-電界強度 (J-E) 特性を取得し、膜質の評価を行ったので報告する。