2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[17a-K103-1~11]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2025年3月17日(月) 9:00 〜 12:00
K103 (講義棟)
葉 文昌(島根大)、 岡田 竜弥(琉球大)
9:00 〜 9:15

[17a-K103-1]52 ℃の低温プロセスで形成したSiO2薄膜の電気特性評価

〇酒池 耕平1、東 清一郎2 (1.広島商船高専、2.広大院 先進理工)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[17a-K103-2]μCLのラスタ走査による並列結合Si単結晶帯とMOSFET特性

〇(M1)野須 涼太1、高橋 英緋1、葉 文昌1 (1.島根大)
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9:30 〜 9:45

[17a-K103-3]CLC (100) Grain-Boundary-Free Si 薄膜に見られる横縞

〇佐々木 伸夫1,2、高山 智之2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
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9:45 〜 10:00

[17a-K103-4]CWレーザー結晶化Si薄膜のビームフォーカス依存性

〇高山 智之1、佐々木 伸夫1,2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)
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10:00 〜 10:15

[17a-K103-5]ガラス基板上の縦型ダブルゲートpoly-Si薄膜トランジスタを用いたCMOSインバータの特性

〇鈴木 康聖1、原 明人1 (1.東北学院大院)
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10:15 〜 10:30

[17a-K103-6]Poly-Ge TFTとOxide TFTを利用したハイブリッドCMOSの検討

〇栗原 義人1、五嶋 大喜1、原 明人1 (1.東北学院大学)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[17a-K103-7]高濃度基板上エピタキシャルウェーハにおける燐の低温拡散現象

〇河端 晋作1、佐藤 慎哉1 (1.東芝ﾃﾞﾊﾞｲｽ&ｽﾄﾚｰｼﾞ)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[17a-K103-8]フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P層の再活性化

〇植野 雄守1、谷村 英昭1、布施 和彦1、満田 勝弘1、加藤 慎一1 (1.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-K103-9]CF4/H2プラズマによるエピタキシャル成長したSi0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層膜からのSiナノシートの形成

〇尾崎 孝太朗1、堤 隆嘉2、石川 健治2、Yamamoto Yuji3、Wen Wei-Chen3、牧原 克典1 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP)
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11:30 〜 11:45

[17a-K103-10]NeによりRFスパッタ成膜したInSb薄膜のRTA結晶化に与えるSiO2キャップ膜の影響

〇奥 翔太1、比嘉 辰志1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、岡田 竜弥1 (1.琉大工、2.九大)
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11:45 〜 12:00

[17a-K103-11]ポリイミド上にArスパッタ成膜したInSb薄膜のRTA結晶化

〇比嘉 辰志1、奥 翔太1、野口 隆1、梶原 隆司2、佐道 泰造2、岡田 竜弥1 (1.琉大工、2.九大)
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