[17a-K103-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[17a-K103-2] μCLのラスタ走査による並列結合Si単結晶帯とMOSFET特性

〇(M1)野須 涼太¹、高橋 英緋¹、葉 文昌¹ (1.島根大)

キーワード：

半導体、シリコン、トランジスタ

我々はマイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法によりSiO₂上のSi膜の(001)単結晶帯成長を実現し、高い移動度を得てきた。
しかし、チャネル両端の微結晶とμCL走査方向のランダムな結晶方位が移動度の低下とばらつきを発生させた。
今回、微結晶領域を含まず、移動度のばらつきを低減できるμCLのラスタ走査による並列結合した単結晶帯を考案した。その結晶性とMOSFET特性を報告する。