[17a-K103-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:45 〜 10:00

[17a-K103-4] CWレーザー結晶化Si薄膜のビームフォーカス依存性

〇高山 智之¹、佐々木 伸夫^1,2、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)

キーワード：

LTPS、CWレーザー結晶化

低温多結晶シリコン（LTPS）は高性能ディスプレイデバイスへの活用が期待 されている。連続波レーザーラテラル結晶化（CLC）による結晶化 Si は 500cm2 /Vs 以上の キャリア移動度が容易に実現可能である 。本研究では、CLC の条件最適化を行う中で重要な手順である光学系から試料表面へビームを到達させる フォーカスレンズの位置決めについて結晶性を評価することで調査した。