[17a-K103-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

10:00 〜 10:15

[17a-K103-5] ガラス基板上の縦型ダブルゲートpoly-Si薄膜トランジスタを用いたCMOSインバータの特性

〇鈴木 康聖¹、原 明人¹ (1.東北学院大院)

キーワード：

薄膜トランジスタ、多結晶シリコン、縦型TFT