[17a-K103-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

10:15 〜 10:30

[17a-K103-6] Poly-Ge TFTとOxide TFTを利用したハイブリッドCMOSの検討

〇栗原 義人¹、五嶋 大喜¹、原 明人¹ (1.東北学院大学)

キーワード：

多結晶ゲルマニウム、酸化物半導体、プラスチック基板