[17a-K103-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[17a-K103-8] フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P層の再活性化

〇植野 雄守¹、谷村 英昭¹、布施 和彦¹、満田 勝弘¹、加藤 慎一¹ (1.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：

フラッシュランプアニール、FLA、活性化