2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[17a-K202-1~9]13.3 絶縁膜技術

2025年3月17日(月) 9:30 〜 11:45
K202 (講義棟)
渡邉 孝信(早大)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-K202-1]Si(110)微傾斜基板上の SiO2/Si MOS キャパシタにおける界面特性評価

〇志村 瞭太朗1、名幸 瑛心1、松本 光二2、鈴木 陽洋2、山本 博昭2、松川 和人2、竹中 充1、高木 信一1、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ1 (1.東大工、2.SUMCO)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[17a-K202-2]極低温下のMOSFET劣化における2種類の固定電荷生成

〇宮木 耀平1、鈴木 達也1、三谷 祐一郎1 (1.都市大)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-K202-3]低温酸化処理によるSiO2膜の電気的ストレス耐性向上

〇足利 佳治1、高橋 芳浩1 (1.日大理工)
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10:15 〜 10:30

[17a-K202-4]トレンチフィールドプレートパワーMOSFETにおける積層ゲート膜化によるTDDBばらつき改善

〇石井 大智1、星田 悟志1、上野 達郎1、西口 俊史1、前山 賢二1、可知 剛1、加藤 浩朗1 (1.東芝デバイス＆ストレージ)
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10:30 〜 10:45

[17a-K202-5]極低温下におけるnMOSFETのチャネルホットキャリア（CHC)劣化とF-Nストレス劣化の相違

〇鈴木 達也1、宮木 耀平1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
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10:45 〜 11:00

[17a-K202-6]媒質効果の理論検討に基づくSi酸化膜中のSi輸送経路に関する考察

〇影島 博之1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)
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11:00 〜 11:15

[17a-K202-7]Si(001)面酸化におけるPseudo-Cristobaliteモデルの一考察

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
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11:15 〜 11:30

[17a-K202-8]添加水分(H2O)蒸気量を制御したNH3ガスによる低温酸化Si膜の残留OH基量の低減

〇堀田 將1 (1.北陸先端大)
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11:30 〜 11:45

[17a-K202-9]画像処理を用いたTEM像用膜厚自動測長システムの開発

〇服部 真也1、喜多村 茜1、亀田 賢治1 (1.株式会社KOKUSAI ELECTRIC)
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