講演情報
[17a-K202-5]極低温下におけるnMOSFETのチャネルホットキャリア（CHC)劣化とF-Nストレス劣化の相違
〇鈴木 達也1、宮木 耀平1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
キーワード：
半導体、信頼性、極低温
トランジスタは極低温下で操作させることで電気特性が向上するため様々な分野への応用が期待されているが、極低温下におけるトランジスタの劣化メカニズムは解明されていない。本研究ではCHC及びF-Nストレスにおいて、ストレス印加時間に対するトランジスタ特性と界面準位の推移を同時に測定した結果、低温下ではストレス条件によってトランジスタ特性劣化と界面準位生成量に異なる相関関係が観測されることが確かめられた。