講演情報
[17a-K202-8]添加水分(H2O)蒸気量を制御したNH3ガスによる低温酸化Si膜の残留OH基量の低減
〇堀田 將1 (1.北陸先端大)
キーワード：
酸化Si膜、低温作製、OH
酸化Si膜の堆積はより低温で行う事が望まれるが、膜中には多量のOH成分が残留するため、絶縁性が著しく悪い。我々は、Si基板上に190oCで堆積した酸化Si膜をOH基除去効果があるNH3+N2ガスにH2O蒸気を添加することにより、その効果がさらに促進することを見出している。しかし、蒸気量を過剰供給状態で長時間アニールすると逆効果となるが、その量を制御、減少すればこの問題は解決できる。