[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30

[17a-K301-2] HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の深い準位の評価

〇古橋 優¹、宇佐美 茂佳²、森 勇介²、渡邉 浩崇³、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩³、加藤 正史¹ (1.名工大院工、2.阪大院工、3.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム