2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-K301-1~10]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月17日(月) 9:00 〜 11:45
K301 (講義棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[17a-K301-1]光電気化学酸化反応を用いた窒化ガリウム基板の高能率研磨法の開発
～基板中の酸素不純物濃度分布と欠陥に由来する加工むらの抑制～

〇(DC)萱尾 澄人1、深川 達哉1、藤 大雪1、山田 純平1、山内 和人1、佐野 泰久1 (1.大阪大学)
9:15 〜 9:30

[17a-K301-2]HVPE基板およびOVPE基板上GaNエピ層の深い準位の評価

〇古橋 優1、宇佐美 茂佳2、森 勇介2、渡邉 浩崇3、新田 州吾3、本田 善央3、天野 浩3、加藤 正史1 (1.名工大院工、2.阪大院工、3.名大未来研)
9:30 〜 9:45

[17a-K301-3]異なる成膜源を用いて作製したn型GaNスパッタ膜の特性比較

〇山田 真嗣1、田中 希帆1、新井 学2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)
9:45 〜 10:00

[17a-K301-4]超高圧アニール処理したMgイオン注入GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価

〇嶋 紘平1、田中 亮2、高島 信也2、上野 勝典2、石橋 章司3、上殿 明良4、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.富士電機、3.産総研CD-FMat、4.筑波大数物)
10:00 〜 10:15

[17a-K301-5]熱処理によるSiO2/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

〇原 征大1、平原 賢治1、野崎 幹人1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[17a-K301-6]GaN縦型トレンチMOSFETに用いられるnpn構造のサブバンドギャップ光照射時の電気特性

〇楠木 菜水1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
10:45 〜 11:00

[17a-K301-7]GaN npn構造の電流－電圧特性の解析

〇岡 徹1,2、須田 淳1,3 (1.名大未来研、2.豊田合成、3.名大院工)
11:00 〜 11:15

[17a-K301-8]縦型GaNトレンチMOSFETにおけるトレンチ内固定電荷密度の解析

〇岡 徹1,2 (1.名大未来研、2.豊田合成)
11:15 〜 11:30

[17a-K301-9]GaN p-nダイオードの順方向通電劣化の可逆性

〇岩田 大暉1、太田 博2、成田 好伸1、佐藤 隆1、堀切 文正1、三島 友義2、田中 丈士1、飯村 清寿1、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.法政大)
11:30 〜 11:45英語発表

[17a-K301-10][The 46th Young Scientist Award Speech] kV-class Vertical GaN Junction Barrier Diodes using Mg Implantation

〇Dolar Khachariya1, Will Mecouch1, Seiji Mita1, Shashwat Rathkanthiwar2, Pramod Reddy1, Ronny Kirste1, Kacper Sierakowski3, Grzegorz Kamler3, Michal Bockowski3, Erhard Kohn2, Spyridon Pavlidis2, Ramon Collazo2, Zlatko Sitar1,2 (1.Adroit Materials Inc., Cary, NC, USA, 2.North Carolina State Univ., Raleigh, NC, USA, 3.Institute of High Pressure Physics, Sokolowska, Warsaw, Poland)
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