[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15

[17a-K301-5] 熱処理によるSiO₂/p型GaN MOS界面正孔トラップの生成速度

〇原 征大¹、平原 賢治¹、野崎 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、MOS構造、正孔トラップ