[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[17a-K301-8] 縦型GaNトレンチMOSFETにおけるトレンチ内固定電荷密度の解析

〇岡 徹^1,2 (1.名大未来研、2.豊田合成)

キーワード：

窒化ガリウム、トレンチMOSFET、固定電荷