[17a-K301-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

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[17a-K301-9] GaN p-nダイオードの順方向通電劣化の可逆性

〇岩田 大暉¹、太田 博²、成田 好伸¹、佐藤 隆¹、堀切 文正¹、三島 友義²、田中 丈士¹、飯村 清寿¹、藤倉 序章¹ (1.住友化学、2.法政大)

キーワード：

窒化ガリウム、p-nダイオード