[17a-K304-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

10:45 〜 11:00

[17a-K304-6] 計算化学による1-C4F8の電子物性と解離特性

〇林 俊雄、石川 健治、関根 誠、堀 勝

キーワード：

1-C4F8、エッチングガス、一次解離過程

1-C₃F₆の解離特性については既に昨春のこの場で報告した(25a-61B-8)。今回は1-C₄F_８の解離特性について解析を行いπ電子の影響が解離にどのような影響を与えるかを調べてみたのでその結果について報告する。