講演情報
[17a-K309-3]1-µm帯InGaAs半導体薄膜レーザの提案と光閉じ込めの検討
〇(B)伊藤 竣1、大磯 義孝1、吉田 俊1、西山 伸彦1,2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)
キーワード：
半導体レーザ
大規模集積回路の配線発熱や信号遅延といった問題を解決できるオンチップ光配線の光源として、我々はシリコン基板上半導体薄膜レーザを提案し、GaInAsP/InP系材料にてその効果を実証してきた 。しかしながら、XPUの発熱を踏まえた温度特性を考慮するとInP系材料では限界がある。今回、安定な高温動作が可能な薄膜レーザに向けて、1-µm帯InGaAs/GaAs系半導体の導入を提案し、その光閉じ込め構造を検討した。