講演情報
[17a-K309-7]InGaAs/GaAsSb Type-II量子井戸からの広帯域発光とスーパールミネッセントダイオードへの適用検討
〇中野 光1、國武 幸一郎1、栁本 拓海1、臼井 一旗1、髙島 陸人1、藤澤 剛2、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.法政大工)
キーワード：
スーパールミネッセントダイオード
本研究では、InGaAsとGaAsSbからなるType-II型ヘテロ材料を用いた広帯域化構造とスーパールミネッセントダイオードへの適用を検討している。有機金属気相成長装置を用いて、量子井戸はInGaAsとGaAsSbからなるType-IIヘテロ構造結晶と、比較のためにInGaAs/GaAs 量子井戸を作製し、フォトルミネッセンス(PL)で励起強度依存性を調べた。その結果、リファレンス用InGaAs/GaAs 1層量子井戸に比べInGaAs/GaAsSbからなる量子井戸構造では帯域が大幅に広いことを確認した。