[17a-K309-1~9] 3.12 半導体光デバイス

12:00 〜 12:15

[17a-K309-8] 有機金属気相成長法によるGaAs基板上1.3ミクロン帯InGaAs/GaAsSb/InGaAs Type-IIレーザの作製

〇柳本 拓海¹、臼井 一旗¹、髙島 陸人¹、國武 幸一郎¹、中野 光¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：

半導体レーザ

情報通信量の増大と通信機器の高密度集積化に対応すべく高温度特性レーザの需要が増加している。GaAs基板上半導体レーザは伝導帯のバンドオフセットを大きく取れ、高温環境下のキャリアの閉じ込めに優れている。有機金属気相成長法によりGaAs基板上の1.3µm帯Type-II量子井戸の作製及びレーザの作製と評価を行ったので報告する。