[17a-K401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[17a-K401-1] ScAlMgO₄基板上スパッタ成長GaInNの結晶性評価

〇深水 直斗¹、伊藤 涼太郎¹、坂本 龍星¹、木下 実乃里¹、榊原 愛¹、石本 聖治²、西村 政哉²、鈴木 敦志²、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、松倉 誠³、小島 孝広³、藤田 篤史⁴、依田 文徳⁴ (1.名城大理工、2.E＆Eエボリューション（株）、3.（株）オキサイド、4.芝浦メカトロニクス（株）)

キーワード：

半導体、GaInN、スパッタ

Ⅲ族窒化物半導体LEDにおいて赤色LEDの外部量子効率は低い。これは、InNモル分率の高い井戸層をもつMQWにおいて強い圧縮歪による量子閉じ込めシュタルク効果によるとされる。そこで、Ga_0.85In_0.15Nと格子整合するScAlMgO₄基板を用いれば圧縮歪を軽減できるが、MOVPE法ではGaInN成長時に組成不均一かつ粗い表面となる。この改善のため、窒化方式のスパッタ装置により製膜したので、その結果を報告する。