セッション詳細
[17a-K401-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶
2025年3月17日(月) 9:00 〜 12:00
K401 (講義棟)
[17a-K401-1]ScAlMgO4基板上スパッタ成長GaInNの結晶性評価
〇深水 直斗1、伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
[17a-K401-2]ScAlMgO4基板上スパッタGaInNへの赤色MQW成長の検討
〇(M1)伊藤 涼太郎1、坂本 龍星1、深水 直斗1、木下 実乃里1、榊原 愛1、石本 聖治2、西村 政哉2、鈴木 敦志2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、松倉 誠3、小島 孝広3、藤田 篤史4、依田 文徳4 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション(株)、3.(株)オキサイド、4.芝浦メカトロニクス(株))
[17a-K401-3]ScAlMgO4基板上RF-MBE法GaInN成長におけるその場XRD-RSMを用いた成長初期過程観察
〇守屋 潤希1、佐々木 拓生2、竹内 丈1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1、名西 憓之3 (1.工学院大学、2.量研、3.立命館大学)
[17a-K401-4]アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の特性
〇奥田 朋也1、太田 隼輔2、久保田 航瑛3、前田 拓也3,4、河原 孝彦5、牧山 剛三5、中田 健5、小林 篤1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.東大工、4.東大院工、5.住友電工)
[17a-K401-5]AlGaN/GaN上へのScAlN薄膜の低温エピタキシャル成長
〇太田 隼輔1、奥田 朋也2、久保田 航瑛3、前田 拓也3,4、河原 孝彦5、牧山 剛三5、中田 健5、小林 篤1,2 (1.理科大先進工、2.理科大院先進工、3.東大工、4.東大院工、5.住友電工)
[17a-K401-6]X線分光測定によるGaN上スパッタ成長ScAlN薄膜の表面酸化状態の評価
〇佐々木 洸1、棟方 晟啓1、小林 正起1、山本 涼太2、佐藤 早和紀2、小林 篤2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)
[17a-K401-7]Study on pulsed sputtering epitaxy and subsequent high-temperature annealing of AlN thin films on graphene/4H-SiC(0001)
〇(M2)Qun Yu1, Kohei Ueno1, Ting Pan2, Keisuke Takemoto2, Kenta Emori2, Hiroshi Fujioka1 (1.Univ. of Tokyo, 2.Nissan Motor Co., Ltd.)
[17a-K401-8]RF-MBE成長したInAlN薄膜の構造特性と熱電特性の関係
〇服部 翔太1、荒木 努1、出浦 桃子2,3 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.早大理工)
[17a-K401-9]立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)薄膜のマグネトロンスパッタリング成長
〇前田 亮太1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1、平間 一行1 (1.NTT物性研)
[17a-K401-10]スパッタ成長した高濃度Ge添加GaNに対するオーミック電極
〇(M1)岡部 耕平1、内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
[17a-K401-11]RF-MBE法によるMnドープ半絶縁性GaN基板上GaNホモエピタキシャル成長
〇逢坂 拓征1、久保田 航瑛1、佐々木 洸1、磯 憲司2、浅見 明太1、杉山 正和1、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大、2.三菱ケミカル)