[17a-K401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:30 〜 11:45

[17a-K401-10] スパッタ成長した高濃度Ge添加GaNに対するオーミック電極

〇(M1)岡部 耕平¹、内藤 愛子¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

ドーピング、窒化ガリウム、接触抵抗