[17a-K401-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:45 〜 10:00

[17a-K401-4] アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の特性

〇奥田 朋也¹、太田 隼輔²、久保田 航瑛³、前田 拓也^3,4、河原 孝彦⁵、牧山 剛三⁵、中田 健⁵、小林 篤^1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.東大工、4.東大院工、5.住友電工)

キーワード：

ScAlN、GaN