講演情報
[17a-K401-6]X線分光測定によるGaN上スパッタ成長ScAlN薄膜の表面酸化状態の評価
〇佐々木 洸1、棟方 晟啓1、小林 正起1、山本 涼太2、佐藤 早和紀2、小林 篤2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大、2.東京理科大)
キーワード：
ScAlN、スパッタリング、X線分光法
スパッタ法により成長条件を変えてSc0.13Al0.87N、Sc0.27Al0.73N薄膜を作製した。hν = 850 eV, 1200 eVでのXPS測定の結果、850 eVでScO 2p3/2が増大し、表面近傍での顕著な酸化が示唆された。Sc組成に比例してScO 2p3/2が増大し、顕著な酸化が示唆された。Sc-L端のXAS測定の結果、eg軌道が主に表面酸化に関連していることが示唆された。