講演情報
[17a-K402-8]脳埋植型電極の抗炎症化に向けたパリレンC分子修飾表面のin vitro評価
〇水野 陽介1、酒井 洸児1、後藤 東一郎1、山口 真澄1、田中 あや1 (1.NTT物性基礎研・BMC)
キーワード：
抗炎症、パリレンC、神経電極
脳埋植型電極の長期使用に伴う慢性的な炎症反応は大きな課題である。本研究では、電極基材であるパリレンC表面にドコサヘキサエン酸（DHA）、没食子酸（GA）、N-アセチルノイラミン酸（Neu5Ac）を化学修飾し、その抗炎症効果を評価した。FT-IR測定により修飾が確認され、DHAおよびGA修飾は高い抗酸化活性を示した。さらに、ミクログリアを用いた評価では、炎症性サイトカイン（TNF-α）の分泌が有意に減少した。これにより、パリレンC表面への抗炎症分子修飾が脳埋植型電極の炎症反応抑制に有効であることが示唆された。