講演情報
[17a-K502-6]微細加工基板上CVD成長で生成した高配向NVセンターの配向率マッピング測定を用いた特性評価
〇(M1)伊牟田 航基1,2、及川 耀平1,2、鈴木 琉生1,2、徳田 規夫3、渡邊 幸志4、早瀬 潤子1,2 (1.慶大理工、2.慶大CSRN、3.金沢大ナノマリ、4.産業技術総合研究所)
キーワード：
NVセンター、CVD成長、高配向
NVセンターは、常温大気圧下で高感度な磁場センサとして利用できる。本研究では、Ni異方性エッチングを用いて(001)ダイヤモンド基板上に4つの{111}側面を有する逆ピラミッド型ホールを作製し、その上にCVD成長を施すことで、1基板上で4方向に高配向なNVサンプルを作製した。また加工手法や成長条件の異なるサンプルと比較することで、それらがNVセンターの特性に与える影響を分析した。