[17a-K504-1~6] 6.4 薄膜新材料

10:00 〜 10:15

[17a-K504-3] TiO₂(001),(100)基板上に作製した(V,W)O₂膜の金属絶縁体転移温度

〇村岡 祐治¹、中村 匠汰²、横谷 尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院環境生命自然科学)

キーワード：

WドープVO2膜、金属絶縁体転移、歪効果

高Wドープ領域の(V,W)O₂膜における金属絶縁体転移の機構を歪効果のアプローチにより調べた。c軸長の異なる(V,W)O₂膜を配向の異なるTiO₂(001),(100)基板を用いて作製し、転移温度に違いを電気抵抗率測定より評価した。得られた結果は、転移機構にルチル型構造のc軸方向に伸びた軌道からなるd_//バンドが寄与していることを支持している。