[17a-Y1311-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[17a-Y1311-4] スパッタリング法を用いたルチル型GeO₂薄膜のエピタキシャル成長

大竹 悠太¹、長島 陽²、大澤 翔平¹、岡 大地¹、〇廣瀬 靖¹ (1.東京都立大学、2.東京大学)

キーワード：

GeO2、スパッタリング、超ワイドギャップ半導体