講演情報
[17a-Y1311-9]ScAlMgO4基板上β-Ga2O3成長のオフ角依存性
〇加藤 颯真1、城川 潤二郎1、松倉 誠3、小島 孝広3、金子 健太郎2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.立命館大総研、3.(株)オキサイド)
キーワード：
結晶成長
ミストCVD法を用いてScAlMgO4（SAM) 基板上にβ-Ga2O3を成長した。成長した薄膜は面内回転ドメインをもち単結晶ではない。そこで、オフ角をつけたSAM基板を用いてβ-Ga2O3を成長することで、回転ドメインの一部を抑制することができた。オフ角をつけたSAM基板は、β-Ga2O3の配向制御に有効である。最適なオフ角をみつけだし、β-Ga2O3単結晶成長を目指す。