講演情報
[17p-K101-10]高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化
〇吉田 侃生1、繫桝 翔伍1、谷村 英昭1、満田 勝弘1、加藤 慎一1 (1.株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
配線、熱処理、抵抗率
配線幅が微細化するにつれて配線幅比以上の抵抗値の上昇が課題となっている。そこで、新たな配線金属としてMo が注目されているが、Mo の低抵抗化には800℃ 以上の熱処理が必要である。弊社では、ミリ秒加熱が可能な高発光強度FLA（Flash Lamp Annealing）装置を新開発した。本報告では、熱履歴制限の厳しい配線工程における新FLA の適用可能性を期待し、Mo の低抵抗化について検証した。