2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-K101-1~12]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2025年3月17日(月) 13:30 〜 16:45
K101 (講義棟)
松川 貴(産総研)
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SonySemiconductor
13:30 〜 13:45

[17p-K101-1]ダイポールによりしきい値電圧制御したFDSOI MOSFETにおける特性ばらつきの測定

〇(M2)鄭 スジョン1、水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)
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13:45 〜 14:00

[17p-K101-2]Dual Gate PN-Body Tied SOI-FETを用いたニューラルエンコーダの検討

〇(M2)小林 真樹1、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大)
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14:00 〜 14:15

[17p-K101-3]Silicon Lateral Power MOSFET Using Thim Film Super-Junction Structure

〇(M2)Jinsoo Lee1, Tomoyoshi Kushida1, Takuya Saraya1, Munetoshi Fukui1, Masaharu Kobayashi1,2, Toshiro Hiramoto1 (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.d.lab, Univ. of Tokyo)
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14:15 〜 14:30英語発表

[17p-K101-4]The Influence of Hole Gas Accumulation on the Performance of Ge/Si Core–Shell Nanowire SWIR Photodetectors.

〇(D)Guanghui WANG1,2, Chao Le1,2, Wipakorn JEVASUWAN2, Naoki Fukata2 (1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS)
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14:30 〜 14:45英語発表

[17p-K101-5]A Sensitive Acetone Sensor Based on Modifying Two-Dimensional WSe2 Surface

〇(D)CHEN LI1 (1.Univ. Tokyo)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-K101-6]GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証

〇鳥本 昇汰1、石本 修斗1、加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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15:15 〜 15:30

[17p-K101-7]ショットキー障壁を見積もる際の金属の仕事関数について

〇鳥海 明1、西村 知紀2 (1.自由業、2.東大工)
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15:30 〜 15:45

[17p-K101-8]β-(Al,Ga)2O3疑似縦型ショットキーバリアダイオードの電気的特性

〇中野 晃汰1、森田 燎1、賈 贇1、奥村 宏典1、櫻井 岳暁1 (1.筑波大院数物)
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15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-K101-9]FeS₂結晶を用いた針接触型および接合型ショットキーバリアダイオードのI-V特性の比較

〇安藤 陸1、神尾 岳1、森田 廉1、須田 順子1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
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16:00 〜 16:15

[17p-K101-10]高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化

〇吉田 侃生1、繫桝 翔伍1、谷村 英昭1、満田 勝弘1、加藤 慎一1 (1.株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ)
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16:15 〜 16:30

[17p-K101-11]並列化MACユニットを有するPIM型NNアクセラレータ・マクロのエネルギー最小点

〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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16:30 〜 16:45

[17p-K101-12]ウェアラブル発汗量計測システムのための温度センサ回路の設計

〇市村 悠一郎1、後藤 健太1、上口 光1 (1.信州大学)
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