[17p-K101-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-K101-9] FeS₂結晶を用いた針接触型および接合型ショットキーバリアダイオードのI-V特性の比較

〇安藤 陸¹、神尾 岳¹、森田 廉¹、須田 順子¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

ショットキーバリアダイオード、半導体、ナローギャップ半導体