セッション詳細

[17p-K103-1~9]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2025年3月17日(月) 13:30 〜 16:00
K103 (講義棟)

[17p-K103-1]ミニマル反応性スパッタ装置による強誘電性HfNx膜の形成

〇野田 周一1、薮田 勇気2、山本 直子2、亀井 龍一郎2、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,3 (1.産総研、2.誠南工業、3.Hundred Semiconductors)

[17p-K103-2]ミニマル液体ドーパント・プロセスに用いたMOSFETのシート抵抗の面内均一化(II)

〇中道 修平1、本郷 仁啓2、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

[17p-K103-3]ミニマル装置を用いたレジストエッチバック平坦化プロセスの研究

〇田中 宏幸1、新堀 俊一郎2、高橋 賢2、小粥 敬成1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,3 (1.産総研、2.三友製作所、3.Hundred Semiconductors)

[17p-K103-4]ミニマル装置を用いた水素アニールによるマイクロレンズ鋳型の作製

〇濱田 健吾1,4、Huang Ying3、佐藤 徳子3、千葉 貴史1,4、寺田 昌男1,4、佐藤 和重1,4、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2、金森 義明3 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.東北大、4.坂口電熱)

[17p-K103-5]小口径ハーフインチウェハにおける高粘性レジストプロセスの開発

〇関藤 竜平1、小粥 敬成2、田中 宏幸2、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産総研)

[17p-K103-6]ウェハドロップレット洗浄技術におけるハーフインチウェハ面内のプロセス均一性の評価

〇根本 一正1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.(株)Hundred Semiconductors)

[17p-K103-7]ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の 半導体 CMOS デバイスへの応用検討(Ⅱ)

〇佐藤 和重1,2、千葉 貴史1,2、寺田 昌男1,2、濱田 健吾1,2、金森 義明3、三浦 典子4、池田 伸一4、原 史朗1,4 (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

[17p-K103-8]ミニマル水プラズマアッシングプロセスを用いて作製したデバイス特性のウェハ面内均一性

〇三浦 典子1、本郷 仁啓1、相澤 洸2、野川 満徳2、大西 康弘2、石島 達夫3、池田 伸一1、原 史朗1,4 (1.産総研、2.米倉製作所、3.金沢大学、4.Hundred Semiconductors)

[17p-K103-9]ミニマルファブにおけるウェハ面内ばらつき要因の分析

〇本郷 仁啓1、野田 周一1、三浦 典子1、池田 伸一1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.Hundred Semiconductors)