[17p-K103-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:00 〜 14:15

[17p-K103-3] ミニマル装置を用いたレジストエッチバック平坦化プロセスの研究

〇田中 宏幸¹、新堀 俊一郎²、高橋 賢²、小粥 敬成¹、三浦 典子¹、池田 伸一¹、原 史朗^1,3 (1.産総研、2.三友製作所、3.Hundred Semiconductors)

キーワード：

平坦化、エッチバック、配線工程

集積回路の開発を進めて行く段階で素子間配線形成においては、デバイスアイランド間の段差を乗り越えなければならないため、段差部分で配線の段切れが起こりやすくなることがわかってきた。本報告では、CMPを使わずに、アイランド上に堆積したTEOS(Tetraethyl orthosilicate)をレジスト堆積とその後のエッチングをレジストとTEOS膜のエッチングレートを1:1にするようなプロセスを考案して、TEOS表面を平坦にエッチバックする技術の検討を行ったので報告する。