[17p-K103-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:15 〜 15:30

[17p-K103-7] ミニマルレーザ加熱装置よる水素雰囲気表面処理の 半導体 CMOS デバイスへの応用検討(Ⅱ)

〇佐藤 和重^1,2、千葉 貴史^1,2、寺田 昌男^1,2、濱田 健吾^1,2、金森 義明³、三浦 典子⁴、池田 伸一⁴、原 史朗^1,4 (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.東北大、4.産総研)

キーワード：

ミニマルファブ、レーザ加熱

既存のミニマルCMOSプロセスをベースに水素雰囲気表面処理を施した p MOSトランジスタを作製し、特性を評価 した。