[17p-K202-1~7] 13.3 絶縁膜技術

13:15 〜 13:30

[17p-K202-2] 高誘電率材料TiO₂を用いたMOS構造に関する研究

〇内田 遥太¹、鬼塚 翔平¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

MOS