[17p-K202-1~7] 13.3 絶縁膜技術

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[17p-K202-3] Ge MOS界面の前酸化と後アニール条件最適化による遅い準位の除去

〇(B)高木 駿翼¹、葉 文昌¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：

ゲルマニウム、ゲート絶縁膜、界面準位

Geは次世代MOSFET材料として期待されているが、ゲートスタックの界面準位、特に遅い界面準位が課題となっている。界面準位の低減には、熱酸/窒化界面層の挿入や、後アニールが有効であることが報告されている。本研究ではAl/スパッタSiO₂/nGe MOS構造について、熱酸/窒化膜条件および後アニール条件により遅い界面準位密度を除去できることを示す。