[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-K301-10] pコンタクト層の無い2DHG GaN 構造のFET動作

〇林 正桓¹、成澤 功喜¹、Risco Jimy Encomendero²、Grace Xing²、Debdeep Jena²、林 侑介³、三宅 秀人⁴、宮本 恭幸¹ (1.東京科学大、2.コーネル大、3.物質・材料研究機構、4.三重大)

キーワード：

窒化ガリウム、２次元ホールガス、p-FET