セッション詳細
[17p-K301-1~14]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2025年3月17日(月) 13:15 〜 17:00
K301 (講義棟)
[17p-K301-1]Double-Dope構造InP-HEMTによるインパクトイオン化ノイズの低減
〇佐々木 太郎1、堤 卓也2、杉山 弘樹1、吉屋 佑樹1、星 拓也1、宮本 恭幸3、中島 史人1 (1.NTT先デ研、2.大阪公立大、3.東京科学大)
[17p-K301-2]EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるしきい値電圧の向上
〇南條 拓真1、古橋 壮之1、綿引 達郎1、江川 孝志2 (1.三菱電機先端総研、2.名工大)
[17p-K301-3]AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるAlGaN 層局所格子変形・温度変化のナノビームX 線回折解析
〇(M1)山本 淳平1、藤平 哲也1、今井 康彦2、Zhuo Diao1、隅谷 和嗣2、木村 滋2、越智 亮太3、佐藤 威友3、橋詰 保4、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.北大 RCIQE、4.名大 IMaSS)
[17p-K301-4]ゲート先行プロセスで作製したn+-GaN/n+-AlGaN二層キャップ構造AlGaN/GaN HEMTの電気的特性
〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大工、2.名大未来研、3.熊本大)
[17p-K301-5]AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスの飽和ドリフト速度の電子濃度依存性
〇若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
[17p-K301-6]スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの輸送特性
〇久保田 航瑛1、若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、小林 篤3、前田 拓也1 (1.東大、2.住友電工、3.東京理科大)
[17p-K301-7][第57回講演奨励賞受賞記念講演] 高出力密度を有するN極性GaN/InAlN HEMTの開発
〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、向井 章1、眞壁 勇夫1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
[17p-K301-8]N極性GaN HEMTのDC特性と表面モフォロジーの関係
〇吉屋 佑樹1、星 拓也1、佐々木 太郎1、杉山 弘樹1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)
[17p-K301-9]N極性面GaN/AlN HEMTの電気特性の動作温度依存性
〇(M1)山中 郁哉1、Zazuli Aina Hiyama1、藤井 開1、木本 大星1、仁ノ木 亮祐1、倉井 聡1、岡田 成仁1、田中 敦之2、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2、廣木 正伸3、平間 一行3、谷保 芳孝3、中野 貴之4,5、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学、2.名古屋大学未来材料・システム研究所(IMaSS)、3.NTT物性研、4.静岡大工、5.静大電研)
[17p-K301-10]pコンタクト層の無い2DHG GaN 構造のFET動作
〇林 正桓1、成澤 功喜1、Risco Jimy Encomendero2、Grace Xing2、Debdeep Jena2、林 侑介3、三宅 秀人4、宮本 恭幸1 (1.東京科学大、2.コーネル大、3.物質・材料研究機構、4.三重大)
[17p-K301-11]順バイアス印加AlNショットキーバリアダイオードのエミッション顕微鏡観察
〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、熊倉 ⼀英2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、田中 敦之3、本田 善央3、中野 義昭1、前⽥ 拓也1 (1.東大、2.NTT物性研、3.名大)
[17p-K301-12]組成傾斜 AlGaN コンタクト層を有する AlN SBD における電流輸送機構の解明
〇前田 拓也1、若本 裕介1、佐々木 一晴1、棟方 晟啓1、廣木 正伸2、平間 一行2、熊倉 一英2、谷保 芳孝2 (1.東京大学、2.NTT物性基礎研)
[17p-K301-13]AlN系分極ドープFETの高周波特性
〇川崎 晟也1、廣木 正伸1、平間 一行1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
[17p-K301-14]2インチ多結晶ダイヤモンド上 GaN HEMT
森山 千春1、坂井田 佳紀2、浦谷 泰基2、西林 良樹3、竹内 茉莉花3、〇重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター(株)、3.住友電気工業(株))