講演情報
[17p-K301-11]順バイアス印加AlNショットキーバリアダイオードのエミッション顕微鏡観察
〇佐々木 一晴1、廣⽊ 正伸2、熊倉 ⼀英2、平間 ⼀⾏2、⾕保 芳孝2、田中 敦之3、本田 善央3、中野 義昭1、前⽥ 拓也1 (1.東大、2.NTT物性研、3.名大)
キーワード：
ショットキー、AlN、障壁高さ
AlNは非常に大きいバンドギャップ(~6.0 eV)と高い絶縁破壊電界(~12 MV/cm)により、高耐圧で高温動作可能な電子デバイス材料として期待されている。しかし、AlN中の結晶欠陥がデバイス特性に与える影響については理解が進んでいない。本研究では、順方向バイアス印加AlN SBDをエミッション顕微鏡で観察し、電流-電圧特性との関連性を調査することで、キラー欠陥の起源を調べたので報告する。