[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00

[17p-K301-14] 2インチ多結晶ダイヤモンド上 GaN HEMT

森山 千春¹、坂井田 佳紀²、浦谷 泰基²、西林 良樹³、竹内 茉莉花³、〇重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター(株)、3.住友電気工業(株))

キーワード：

表面活性化接合、多結晶ダイヤモンド基板、GaN HEMT

表面活性化接合法による窒化物半導体層の2インチ多結晶ダイヤモンド基板上への転写、及び、引き続いてのデバイスプロセスによるGaN HEMTの作製に成功した。