[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[17p-K301-3] AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるAlGaN 層局所格子変形・温度変化のナノビームX 線回折解析

〇(M1)山本 淳平¹、藤平 哲也¹、今井 康彦²、Zhuo Diao¹、隅谷 和嗣²、木村 滋²、越智 亮太³、佐藤 威友³、橋詰 保⁴、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.北大 RCIQE、4.名大 IMaSS)

キーワード：

半導体、放射光X線オペランド測定

AlGaN/GaN HEMTは、低オン抵抗と高周波動作に優れ、次世代デバイスとして注目されている。しかし、動作時の逆圧電効果やジュール発熱に起因する格子欠陥が性能劣化の要因となっている。本研究では、SPring-8のナノビームX線回折を用いて、HEMT動作中のAlGaN層における局所的な格子変形と温度変化の定量評価を行った。ゲート電圧やドレイン電圧の印加に伴うc軸格子歪の増大や、ゲート領域での温度変化の位置依存性を観測することに成功した。