講演情報
[17p-K301-5]AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスの飽和ドリフト速度の電子濃度依存性
〇若本 裕介1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
キーワード：
ドリフト速度、AlGaN/GaN、二次元電子ガス
GaN HEMTのモデリングにおいて，二次元電子ガス(2DEG)のキャリア輸送に対する正確な理解が重要である．本研究では，異なる電子濃度を有するサンプルで2DEGドリフト速度特性を評価し，電界依存性および電子濃度依存性のモデリングを行った．ドリフト速度は低電界では2DEG濃度によらずほぼ同じ値であるが，高電界では2DEG濃度が増加するにつれて減少した．飽和速度の電子濃度依存性はHEMTの高周波特性から抽出した実効速度と一致した結果が得られた．