[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:15 〜 15:30

[17p-K301-8] N極性GaN HEMTのDC特性と表面モフォロジーの関係

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、佐々木 太郎¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：

N極性GaN HEMT