[17p-K301-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[17p-K301-9] N極性面GaN/AlN HEMTの電気特性の動作温度依存性

〇(M1)山中 郁哉¹、Zazuli Aina Hiyama¹、藤井 開¹、木本 大星¹、仁ノ木 亮祐¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、田中 敦之²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩²、廣木 正伸³、平間 一行³、谷保 芳孝³、中野 貴之^4,5、山田 陽一¹ (1.山口大院・創成科学、2.名古屋大学未来材料・システム研究所(IMaSS)、3.NTT物性研、4.静岡大工、5.静大電研)

キーワード：

N極性面AlN、高電子移動度トランジスタ、高温動作

本研究では、GaNの約2倍のバンドギャップを有するAlNを下地に用いたN極性面GaN/AlGaN/AlN HEMTの高温動作の優位性を確認するため、室温～800 ℃の温度範囲でHEMTの温度特性の評価を行った。室温～600 ℃までの温度領域においてピンチオフを確認できた。700 ℃以上においては、I_DSは著しく低下し、ピンチオフできず、温度上昇に伴いリーク電流も大きくなった。本デバイスでは600 ℃程度までの耐温度特性が実証された。